標籤: 崩潰電壓原因

半導體二極體的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而 ... 超過崩潰電壓以後逆向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。

2015年8月18日 - 當二極體在逆向偏壓時，少數載子造成逆向流動；逆向偏壓若超過了崩潰電壓時，這少數載子將獲得足夠能量，去擊出正常軌道上的價電子，這些被擊出的價電子將形成 ...

當逆向偏壓增加到某一特定的電壓值時，電流會急速的增加，此時的電壓稱. 為崩潰電壓（breakdown voltage）。半導體二極體在進入崩潰時所能承受的最大. 逆向偏壓 ...

擊穿電壓，是使某一絕緣介質在一段時間內成為導體所需加入的電壓的最低值。當加於某一絕緣介質的電壓足夠高時，這時該絕緣介質便會發生電擊穿，使電流可以通過。 ... 另見. 突崩潰 ...

在低頻時，整流二極體很容易在順向或逆向電壓，形成開、關狀態。 ... 二極體及其他裝置的通斷速度有多快來決定，而這也是開始製造蕭特基二極體的原因。 ... 當二極體在逆向偏壓時，少數載子造成逆向流動；逆向偏壓若超過了崩潰電壓時，這少數載子 ...

西，於是乎我們把二極體的電流-電壓特性方程式（I-V characteristics)寫出來讓同 ... 它的"崩潰"是可"控制"的，而且是可“恢復“的，它的崩潰電壓VBR可固定在某個.

當半導體二極體的P 端施加正電壓，N 端施加負電壓時，此種電壓狀態稱. 為順向偏壓（Forward ... 其原因有二，一種稱為累積崩潰（Avalanche breakdown），一種稱為 ...

电压崩溃是由电压恶性下降造成的电力系统严重事故。电力系统正常 ... 上一级电压拉低。甚至会引起全系统的电压崩溃，这是电力系统发生大停电的一个重要原因[2]。

2019年6月14日 - 總結來說，壓敏電阻在吸收突波時，發生崩潰電壓降低時，將使其工作電流過大直至燒毀；發生爆裂（封裝層裂開，引線與陶瓷體分離）時，將斷路，從而 ...

2007年9月2日 - 逆向崩潰的原因. 累增效應. 逆向電壓愈高時，電子受電場的加速愈快，高. 能的電子將價電子撞擊出共價鍵，而撞擊出的. 電子又受電場加速…