標籤: 砷化鎵基板

2017年2月9日 - 公司領先全球研發於六吋砷化鎵基板，同時製作二種以上高效能之元件，以整合晶片製程上之技術，並縮小射頻模組電路面積、降低成本。公司在0.25 ...

2017年2月8日 - 公司領先全球研發於六吋砷化鎵基板，同時製作二種以上高效能之元件，以整合晶片製程上之技術，並縮小射頻模組電路面積、降低成本。公司在0.25 ...

砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体 ... 現今RFCMOS雖可達到高操作頻率及高整合度，但其先天物理上缺點如低击穿电压、矽基板高頻損耗、訊號隔離度不佳、低輸出功率密度等，使其在功率 ...

砷化鎵(GaAs)為鎵和砷兩種元素所合成的化合物，屬於Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物， ... 砷化鎵產業結構與矽(Si)產業相近，也是從最上游的基板、磊晶長成、晶圓設計，到 ...

2018年9月5日 - 本文將從以下大綱，針對目前國際上應用在功率放大器之高頻元件所需化合物（砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化矽等）半導體基板材料的技術發展現況 ...

2011年5月23日 - GaAs具有紅外線以及紅色至綠色間的廣域波長特性，GaP則具有黃綠色及紅色的波長，InP於紅外線領域作為可對應長波長底層基板之用途。

為，同時跨入LED散熱陶瓷基板及砷化鎵封裝段製程的同欣(興. 櫃6271)，未來可以持續留意。 此外，台廠唯一跨入LED藍寶石單晶領域的越峰(8121)，及在微.

砷化鎵(GaAs). 化合物半導體(Compound Semiconductor). 三五族(III-V). GaAs (砷化鎵). GaP. InP (磷化銦). GaN (氮化鎵). AlGaAs. 化合物半導體磊晶材料. InGaAs.

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本論文提出使用化合物半導體－砷化鎵磊晶片為基板來製作感測器，利用電子槍蒸鍍機分別沉積二氧化矽(SiO2) 及三氧化二釓(Gd2O3) 做為感測膜層，改變兩者膜層 ...