標籤: 通道長度調變效應解釋

金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor ..... 考慮通道長度調變效應之後的飽和區電流—電壓關係式如下：. I D = μ n ...

電洞通道. 電洞流. 電流方向. 源極. S. 汲極. D. 閘極. G. 電子通道. 電子流. 電流方向 ...... MOSFET的2nd order effect. 通道長度調變效應. 基板電壓效應. 溫度效應. 崩潰.

應用電子學7-34中興物理孫允武. MOSFET的2nd order effect. 通道長度調變效應. 基板電壓效應. 溫度效應. 崩潰. MOSFET中的電容 ...

項半導體物質與節點名稱，並解釋源極(Source)與汲極(Drain)之間通道長度調變效應發生之. 原因。 【擬答】：. CMOS 剖面圖：. 通道長度調變效應（channel length ...

爾利效應（英語：Early effect），又譯厄爾利效應或譯歐萊效應，也稱基區寬度調變效應，是指當雙極性 ... 可看出上式與電晶體的集極－射極PN接面有關，因此這一電阻定義可解釋簡單電流鏡或主動負載共 ... 通道長度調變係數，通常與通道長度L成反比。

而產生通道長度調變. (Channel Length. Modulation)，此特性曲線類似BJT 的厄利效應(Early Effect)。 對N通道元件，iD. -VDS. 特性可由公式iD = kn[(VGS − VTN)2(1 ...

2015年8月19日 - 中文名稱及名詞解釋: (1) Sub-threshold current of a MOSFET (2) Early effect (3) ... 雖然當VGS<Vth的狀況下，MOSFET的通道沒有形成，但仍然有些具有較高能量的 ...

Inversion layer: 當閘極偏壓大於臨限電壓時，在P-type表面感應出負電子，如同產生一層N通道， 此層稱為電子反轉層。 : 3.通道長度調變效應?

MOSFET依其通道形成方式又可分成增強型( Enhancement-Type )與空乏型( ... 考慮通道長度調變效應( Channel-Length Modulation Effect )時，則VDS增加，等效 ...

MOSFET裡的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅 .... 事實上在飽和區的MOSFET汲極電流會因為通道長度調變效應（channel length ...