標籤: 閂鎖效應

2018年6月30日 - 闩锁效应原理及避免的方法- Latch up 的定义Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O 电路处, 也偶尔发生在内部电路Latch up 是指cmos 晶片中, ...

闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一个重要的问题，这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。...

2009年1月26日 - 第十四章閂鎖效應 □ 什麼是閂鎖效應(Latch Up Effect)呢? CMOS電路設計技術，已經變成電路設計上的主流創新技術。何謂CMOS電路呢?

闩锁效应（latch up）是CMOS 必须注意的现象，latch 我认为解释为回路更合适，大家. 以后看到latch up 就联想到在NMOS 与PMOS 里面的回路，其实你就懂了一半了.

閂鎖效應是由NMOS的有源區、P襯底、N阱、PMOS的有源區構成的n-p-n-p結構產生的，當其中一個三極體正偏時，就會構成正反饋形成閂鎖。中文名稱閂鎖效應結 ...

2017年11月14日 - 生Latch up 的具体原因1. 芯片一开始工作时VDD变化导致nwell和P substrate间寄生电容中产生足够的电流，当VDD变化率大到一定地步，将会 ...

Latch-up 閂鎖效應, 又稱寄生PNPN效應或可控矽整流器( SCR, Silicon Controlled Rectifier ) 效應. 在整體矽的CMOS 管下, 不同極性攙雜的區域間都會構成P-N結, ...

2015年4月28日 - 閂鎖效應(Latchup)是CMOS 積體電路(IC)產品的設計上一項常見的問. 題，嚴重時可導致晶片損毀無法正常工作。此效應來源於晶片內部寄生的.

2010年7月30日 - 这里把CMOS 中的闩锁效应（latch-up）的来源和一些具体的避免latch-up 的方法的内容做一些小结.