標籤: 閘流體原理

晶體閘流管（英語：Thyristor），簡稱閘流體，指的是具有四層交錯P、N層的半導體裝置。最早出現與主要的一種是矽控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中國 ...

閘流體是一種被分類為有四層交替p-及n-材質的半導體元件。 四層元件 ... 閘流體. 摘要. 四層元件的概念通常可以由一個 pnp 以及 npn 電晶體為其等效電路來表示。

下圖即為GTO的簡單電路，及動作原理). 2.雖然GTO的 ... 當陽極電流大於鎖住電流時，GTO就如同閘流體， 即使閘極電流消失，仍可保持導通，與SCR相同。 2. 若閘極 ...

2018年11月22日 - 本文主要介紹閘流體可控矽引數_閘流體可控矽工作原理，閘流體可控矽的外形如何，它們的管芯都是由P型矽和N型矽組成的四層P1N1P2N2結構， ...

(G) MOS控制閘流體(MOS -controlled Thyristor, MCT):. - Combines the load characteristic of the thyristor and the control characteristic of the MOSFET.

為了防止此一誤動作而破壞閘流體或造成設備的不正常操作，必須加一保護電路限制陽極電壓之變化率，由於電容有防止電壓瞬間改變之特性，所以如圖1.4(a)所示， ...

2009年3月31日 - High Power SCR Devices and process. 閘流體元件與製程by daniel Su in Types > Research and high power scr devices and process.

Service. Solution. SCR(單向可控硅) Introduction. 矽控整流器（Silicon Controlled Rectifier）簡稱SCR(單向. 可控硅) 是一種四層三端點的閘流體元件，用以控制流到 ...