標籤: 電晶體閘極

電洞流. 電流方向. 源極. S. 汲極. D. 閘極. G. 電子通道. 電子流. 電流方向 p通道FET n通道 ... 我們主要介紹的FET有接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor,.

跳到 金氧半場效電晶體的閘極材料 - 理論上金氧半場效電晶體的閘極應該儘可能選擇電性良好的導體，多晶矽在經過重摻雜之後的導電性可以用在金 ...

2015年9月15日 - MOS 的全名是「金屬－氧化物－半導體場效電晶體（Metal Oxide .... 簡而言之，鰭式場效電晶體是閘極長度縮小到20 奈米以下的關鍵，擁有這個技術 ...

跳到 閘極電壓對電流的影響 - FET通過影響導電通道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者電洞流）。通道是由（是否）加在閘極和源極的電壓而創造和影響 ...

體的電流，道理是一樣的。上面的水. 桶相當於電晶體的源極，下面的水桶. 相當於電晶體的漏極。水閘就相當於. 電晶體的閘極。 圖1：場效電晶體開關作用的示意圖 ...

2015年4月7日 - 近年來半導體業最大的新聞，莫過於各家廠商都推出了3D電晶體，一掃過去深度奈米製程毫無進展的陰天心情。原本卡在半空中很久的30奈米以下 ...

本文主要講解半導體及由其製成的重要主動元件，如：二極體，電晶體和FET。 ... 閘極與源極之間沒有電壓時，P型半導體會隔開源極，而汲極則提供絕緣體的功用。

利用氧化層在MOSFET的G (閘極)端子和其他電極之間形成絕緣，讓在DS (汲極．源極)之間形成PN接合區，如此即形成類似二極體的結構。Cgs,Cgd取決於氧化層的 ...

2018年11月26日 - MOSFET 的構造金屬－氧化物－半導體場效電晶體（MOSFET：Metal Oxide ... 由＜圖一＞ 可以看出，MOS 的閘極長度大約0.1μm（微米）， ...

一般場效電晶體(field effect transistor，簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三. 隻接腳，不過工作原理卻完全不同。FET 的控制接腳稱為閘極(gate，簡稱G 極)，. 顧名思義 ...