標籤: 3d電晶體

多閘極電晶體（英語：Mulitgate Device）是指集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電 .... Intel已經表明在Sandy Bridge之後的處理器都將基於此3D設計。

2016年11月1日 - 隨著半導體製程工藝的發展，矽電晶體的局限逐漸被顯現出來，為了摩爾定律繼續生效，業界推出了3D電晶體的的定義，而談到3D電晶體，就不能不 ...

2018年1月5日 - 尤其在16∕14 nm鰭式電晶體技術導入後，搶奪晶圓代工訂單的肥皂劇一季 .... 電晶體由傳統平面式走向3D立體結構，又名鰭式場效應電晶體（fin ...

2015年4月7日 - 近年來半導體業最大的新聞，莫過於各家廠商都推出了3D電晶體，一掃過去深度奈米製程毫無進展的陰天心情。原本卡在半空中很久的30奈米以下 ...

2011年5月6日 - 3D IC在半導體業界已經不算稀奇，不過3D架構的電晶體聽起來似乎威很多？Intel剛宣佈他們的一項新技術（PTT有版友說這技術很古老了）， ...

2011年5月5日 - Intel今天公佈了全世界第一批採用3D電晶體的晶片量產計畫。這批代號「Ivy Bridge」的22nm微處理器，可說是實現過去十年來半導體界的研究結晶， ...

2015年9月15日 - MOS 的全名是「金屬－氧化物－半導體場效電晶體（Metal Oxide ... Effect Transistor，FinFET）」，把原本2D 構造的MOSFET 改為3D 的FinFET，如圖 ...

FinFET(Fin Field-Effect Transistor)稱為鰭式場效電晶體，電晶體的閘極環繞包裹著電晶體的高架通道，形狀與魚鰭相似，因而命名。FinFET是一種新型的多重閘極3D ...

2011年5月5日 - 英特爾發表3D電晶體架構年底Ivy Bridge晶片將採用. Tri-Gate將採用22奈米製程，率先採用Tri-Gate的將是代號為Ivy Bridge的22奈米製程處理器， ...

2011年5月6日 - 【大紀元5月6日報導】（中央社記者吳佳穎台北6日電）英特爾（Intel）宣布3D、三閘（Tri-Gate）電晶體技術年底進入量產，會用於Ivy Bridge處理器上，也 ...