〈觀察〉碳化矽元件潛力、商機可期IDM到矽晶圓廠加速擴大佈局 ...
2020年3月22日 - 隨著5G、電動車等新應用興起,第三代化合物半導體材料躍升成市場焦點,看好碳化矽(SiC) 等功率半導體元件,在相關市場的優勢與成長性, ...
2020年3月22日 - 隨著5G、電動車等新應用興起,第三代化合物半導體材料躍升成市場焦點,看好碳化矽(SiC) 等功率半導體元件,在相關市場的優勢與成長性, ...
2020年3月5日 - 第三代半導體材料受市場關注,包括碳化矽(SiC)材料及氮化鎵(GaN)產品,台積電也於上週宣布與意法半導體合作切入氮化鎵市場,半導體業者 ...
碳化矽(英語:silicon carbide,carborundum),化學式SiC,俗稱金剛砂,寶石名稱鑽髓,為矽與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化矽在大自然以莫桑石這種稀罕的 ...
SiC材料的物性與特徵. SiC(碳化矽)係由矽(Si)與碳©所組成之化合物半導體材料。 絕緣破壞電場強度為Si的10倍、能隙為Si的3倍,不僅優異,從製作元件需要之p型, ...
2020年4月13日 - 在不久之前,人們還認為實現碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)元件的應用相當困難,但在2018年,現實生活中的應用已經開始利用這些技術的優勢。
2020年4月16日 - 碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)同屬寬能隙(WBG)半導體一員,各有所長亦各有缺點。然而,由於SiC與GaN都有機會改善電動車最昂貴的電池組相關 ...
2020年3月10日 - 看好SiC功率元件市場在電動車及5G應用上的優勢及成長爆發力,包括英飛凌(Infineon)、羅姆(ROHM)等IDM大廠積極布局,全球SiC相關IC設計 ...
在電力電子系統日益追求更高的功率密度,以及更小型化的產品設計趨勢驅動下,新一代碳化矽金氧半場效電晶體(SiC MOSFET)的技術與產品開發,進入了全力衝刺 ...
相比传统的Si功率器件,SiC和GaN功率器件有哪些优势? ... 高溫操作、高功率密度等需求,逐漸帶出碳化硅(Silicon Carbide; SiC)與氮化鎵(Gallium Nitride; GaN) ...