標籤: 常數薄膜

2007年8月30日 - Dow Corning表示，其最新的低介電常數碳化矽與氫化碳氧化矽(low-k SiC and H:SiOC)薄膜製造方法已獲得美國專利。這套方法利用電漿輔助化學 ...

隨著半導體元件尺寸縮小，介電質的介電常數(k) 會明顯影響提高元件速度的能力， ... 晶片製造商逐步減小絕緣薄膜的介電值：從二氧化矽材料的4.0，到在180 奈米中 ...

據中央社報導，晶圓設備大美商廠應用材料（Applied Materials）宣布，該公司的黑鑽石（Black Diamond）低介電常數薄膜技術，獲國際半導體（Semiconductor ...

2003年2月20日 - 低介電常數薄膜技術的發展正如火如荼進行中，要成功整合低介電常數薄膜於多層導體內連線技術時，將面臨到許多的困難。尤其在引入一新的低介 ...

關鍵字: 氟化非晶碳薄膜低介電常數. 出版社: 電機工程學系. 摘要: 中文摘要 在邁向深次微米的領域時，必須使用介電常數更低的材料，以降低因元件尺寸縮小所 ...

標題: 多孔性二氧化矽低介電常數薄膜製備與奈米機械性質之研究. Preparation and Nanomechanical Properties of Porous SiO2 Low-Dielectric-Constant Films.

首先使用矽基材沉積的毯覆式低介電常數薄膜，以它來代表低介電常數薄膜受到製程損害的情形。薄膜則是在電容放電裝置中利用電漿輔助的氧氣和有機矽烷混合氣體 ...

加，介電常數會隨之增加。薄膜中TiO2含量40wt%時有最大介電常. 數、介電損失與漏電流。 將商用PI薄膜與此介電薄膜分別做成微波濾波器，量測其高頻下. 之S參數， ...

本发明提供了一种低介电常数薄膜的成膜方法，包括：形成第一层金属层；在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜，其中在生长低介电 ...

2019年1月18日 - 本发明公开了一种超低介电常数薄膜的制作方法，通过先对沉积形成的低介电常数薄膜进行刻蚀，形成所需的图形结构(此时的介质薄膜孔隙率较低， ...